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A silicon insulated-gate bipolar-transistors (IGBTs) and silcon-carbide (SIC) Schottky barrier diodes (SBD) hybrid power......
提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规......